用于AlN单晶生长的复合籽晶及其制备方法

摘要

本发明提供一种用于AlN单晶生长的复合籽晶，包括AlN陶瓷基片、位于所述AlN陶瓷基片之上的石墨烯薄层以及位于所述石墨烯薄层之上的AlN薄膜。本发明还提供一种制备本发明的用于AlN单晶生长的复合籽晶的方法，包括如下步骤：(1)在AlN陶瓷基片上形成石墨烯薄层；(2)采用薄膜沉积技术在所述石墨烯薄层上制备AlN薄膜，得到AlN陶瓷/石墨烯/AlN薄膜复合籽晶。本发明制备的复合籽晶尺寸仅取决于使用者所制备或获得的AlN陶瓷基片的尺寸，可以满足任意尺寸籽晶的需求。同时，本发明制备的复合籽晶与AlN单晶物理性质相似、不引入外来杂质、不存在异质籽晶导致的晶格失配和热膨胀系数失配问题。