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脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的方法

摘要

本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料,按规定的化学计量比配料,即Mg∶B=0.7∶2.0~1.3∶2.0;再按不超过Mg和B粉料总重量的15%加入掺杂物质,在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03~0.10赫兹,磁场强度为1~100T(特斯拉);升温速度为3~30℃/分钟;升温至反应温度600~1000℃后保温10-300分钟;然后将样品随炉冷却,取出样品MgB2,即为化学掺杂的MgB2系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少,结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。

著录项

  • 公开/公告号CN100447084C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN200510111919.9

  • 申请日2005-12-23

  • 分类号C01B35/04(20060101);H01B12/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-02-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 35/04 授权公告日:20081231 终止日期:20111223 申请日:20051223

    专利权的终止

  • 2008-12-31

    授权

    授权

  • 2007-10-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-15

    公开

    公开

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