公开/公告号CN109378364B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏中宇光伏科技有限公司;
申请/专利号CN201811468315.3
发明设计人 皇韶峰;
申请日2018-12-03
分类号H01L31/18(20060101);
代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;
代理人王勇
地址 221699 江苏省徐州市沛县经济开发区昆明路南侧
入库时间 2022-08-23 11:54:30
机译: 太阳能电池的刻印方法,包括在基板上形成刻蚀掩模并进行刻蚀工艺,以及通过刻蚀掩模在基板上形成凸起的标记结构
机译: 特别是用于涂覆硅片的涂覆系统,尤其是用于太阳能电池生产中的等离子增强CVD的涂覆系统
机译: 一种用于各向异性刻蚀由硅片制成的三维结构的掩模的精确对准方法