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一种太阳能电池片生产中硅片的刻蚀去边工艺

摘要

本发明公开了一种太阳能电池片生产中硅片的刻蚀去边工艺,在刻蚀之前使用去离子水对硅片的各个表面进行冲洗,并对硅片进行表面干燥,硅片表面干燥方式为烘干或者甩干,刻蚀时将硅片的正面朝下放置与腐蚀溶液接触,腐蚀溶液为氢氟酸,并从硅片的上方向其背面喷射性质稳定的气体,喷射气体为氮气,在刻蚀去边结束之后,采用抛光液对硅片背面进行抛光。该太阳能电池片生产中硅片的刻蚀去边工艺,向硅片背面喷射氮气,能够对硅片背面氧化层起保护作用,在刻蚀结束后增加的抛光步骤,可以使硅片更加光滑,提高电池的转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN109378364B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏中宇光伏科技有限公司;

    申请/专利号CN201811468315.3

  • 发明设计人 皇韶峰;

    申请日2018-12-03

  • 分类号H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;

  • 代理人王勇

  • 地址 221699 江苏省徐州市沛县经济开发区昆明路南侧

  • 入库时间 2022-08-23 11:54:30

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