一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件

摘要

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种具有高介电常数薄膜的鳍状横向功率MOSFET器件，用以克服现有横向功率MOSFET器件中高介电常数薄膜仅能够影响漂移区靠近器件表面的一小部分区域、导致对器件性能的优化不够充分的问题。本发明在现有的具有高介电常数薄膜的横向功率MOSFET器件的基础上，将二维平面结构改造为三维鳍状结构；所述高介电常数薄膜将器件的鳍状N型漂移区完全包裹，从而在器件关断时、帮助鳍状N型漂移区的各个表面得到增强RESURF效应，在器件导通时、帮助鳍状N型漂移区的各个表面产生电子积累层，最终进一步优化器件击穿电压与比导通电阻之间的关系。