公开/公告号CN100445206C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN200610151061.3
申请日2006-11-24
分类号C01B33/18(20060101);C01B31/02(20060101);C01B31/36(20060101);B82B3/00(20060101);C04B35/628(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人单军
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 09:01:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-02-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/18 授权公告日:20081224 终止日期:20091224 申请日:20061124
专利权的终止
2008-12-24
授权
授权
2007-09-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-07-25
公开
公开
机译: 非晶态二氧化硅,非晶态二氧化硅的制造装置,非晶态二氧化硅的制造方法,由非晶态二氧化硅制造的硅以及硅的制造方法
机译: 用于形成低介电常数非晶态二氧化硅涂层膜的涂布液,其制备方法以及从同一方法获得的低介电常数非晶态二氧化硅涂层膜
机译: 用于形成低介电常数非晶态二氧化硅基涂膜的涂料液,其制备方法以及从其获得的低介电常数非晶态二氧化硅基涂膜