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一种高导电性及透光率的水基银纳米线导电薄膜制备方法

摘要

本发明提供了一种水基银纳米线导电薄膜,其原料配方组成为:银纳米线,0.2‑1.5%;羧甲基纤维素钠,0.2‑1%;Zonyl@FSO‑100,0.005‑0.1%;高分子分散剂,0.1‑2%;小分子流平剂,1‑3%;小分子消泡剂,1‑2%;水,85.4‑94.495%。本发明制备得到高导电性和透光率的导电薄膜,因而可广泛用于触摸屏等电子产品领域。

著录项

  • 公开/公告号CN108690404B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆文理学院;

    申请/专利号CN201810662179.5

  • 发明设计人 陈善勇;

    申请日2015-10-09

  • 分类号C09D11/52(20140101);C09D11/14(20060101);

  • 代理机构50229 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李靖

  • 地址 402160 重庆市永川区双竹镇

  • 入库时间 2022-08-23 11:50:47

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