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公开/公告号CN108690404B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆文理学院;
申请/专利号CN201810662179.5
发明设计人 陈善勇;
申请日2015-10-09
分类号C09D11/52(20140101);C09D11/14(20060101);
代理机构50229 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李靖
地址 402160 重庆市永川区双竹镇
入库时间 2022-08-23 11:50:47
机译: 透明导电自支撑银纳米线薄膜的制备方法及其用途
机译: 高导电性二氧化硅/聚苯胺核/壳纳米粒子薄膜的制备方法
机译: 一种高透光率薄膜的制备方法
机译:溶剂热合成直径约20 nm,长径比约2000的超细银纳米线,用于高导电性柔性透明薄膜
机译:基于银纳米线包裹碳纤维网络的高导电性和柔性薄膜电极,用于超级电容器应用
机译:功能层涂覆的柔性薄膜上具有高导电性和透明性的表面光滑的银纳米线电极
机译:均匀,高导电性和柔性的银纳米线透明导电膜
机译:金属嵌入式透明导电氧化物薄膜的电阻率和透光率模拟
机译:高导电性交织碳纳米管和银纳米线透明电极
机译:使用干转移技术在刚性和柔性基板上形成渗流性银纳米线网络的均匀,高导电性和图案化的透明薄膜
机译:薄导电薄膜制备方法的发展