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加速掺杂硅中缺陷形成、稳定电池性能、制造电池的方法和电池

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本公开提供了加速掺杂硅中缺陷形成、稳定电池性能、制造电池的方法和电池，尤其提供一种用于加速掺杂硅中的缺陷的形成的方法。将掺杂硅区域暴露于高强度电磁辐射，以提供显著过剩的多数载流子并且促进缺陷形成的高速率，以允许有效的硅钝化。

著录项

公开/公告号CN107408497B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-18

原文格式PDF
申请/专利权人新南创新私人有限公司;
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申请/专利号CN201680015469.X
发明设计人 B·J·哈勒姆;S·R·韦纳姆;M·D·阿博特;P·G·哈默;
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申请日2016-03-11
分类号H01L21/268(20060101);H01L21/428(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人吕俊刚;杨薇
地址澳大利亚新南威尔士州
入库时间 2022-08-23 11:49:39

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