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公开/公告号CN110392855B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 西门子股份公司;
申请/专利号CN201880016923.2
发明设计人 S.纳雷特;
申请日2018-02-13
分类号G02B6/43(20060101);G02B6/42(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人侯宇
地址 德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 11:48:58
机译: 电光电路,包括光传输路径,用于在这种电光电路中安装的电光组件和用于制造电光电路的光学接口的方法
机译: 电光电路包括光传输路径,电光组件用于安装在这种电光电路中的用于制造电光电路的光学接口的方法
机译: 包括光传输路径的电光电路,用于在这种电光电路中安装的电光组件以及产生电光电路的光界面的方法
机译:标准硅-CMOS集成电路中的聚硅发光器件基电光学接口
机译:标准硅-CMOS集成电路中基于门控二极管结构的电光接口
机译:通过集成的光波导将电光组件自动组装到印刷电路板上
机译:具有纳米涂层的2D大孔硅结构中的电光效果 r n具有纳米涂层的2D大孔硅结构中的电光效果 r n r n具有纳米涂层的2D大孔硅结构中的电光效果
机译:用1300nm和1064nm激光源的硅集成电路电光频率调制=用1300nm和1064nm激光的基于硅基集成电路的电光频调制(EOFM)
机译:压电光机械电路中的声光调制和光声门控
机译:电光机械柔性同轴微生物,用于与内在神经电路的微创接口
机译:晶体电光与非线性光学效应的离子自由基理论。 I.利用氧八面体的畸变模型计算BaTiO sub 3晶体电光和谐波产生系数