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一种原位制备聚吡咯单价选择性阳离子交换膜的方法

摘要

本发明公开了一种位制备聚吡咯单价选择性阳离子交换膜的制备方法,所述的方法包括:(1)将待改性的普通阳离子交换膜(白色,50cm2)浸泡于0.2mol/L盐酸溶液中一段时间后,用去离子水洗去表面多余的酸。(2)将氢型的阳离子交换膜浸泡于2‑5wt%的吡咯乙醇溶液(200ml)中1分钟,取出膜,水平放置2分钟以上,待表面乙醇蒸发完全后,将膜浸入一定浓度的氧化剂溶液(如氯化铁、过硫酸铵、过氧化氢,200ml)中一段时间后,此时该膜呈黑色,证明膜上已负载聚吡咯。(3)重复步骤(2)多次,得到附有多层的聚吡咯选择性阳离子交换膜。本发明中,吡咯聚合方法简单有效,改性后的膜表面物质沉积均匀且单价离子选择性显著提高。

著录项

  • 公开/公告号CN108097069B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江工业大学;

    申请/专利号CN201711187783.9

  • 申请日2017-11-24

  • 分类号B01D71/62(20060101);B01D67/00(20060101);B01D69/02(20060101);

  • 代理机构33201 杭州天正专利事务所有限公司;

  • 代理人黄美娟;王兵

  • 地址 310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

  • 入库时间 2022-08-23 11:47:06

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