一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法

摘要

本发明提出一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，使用铁掺杂的氧化镓陶瓷靶材，通过激光分子束外延方法，在衬底温度为425～575℃的生长条件下，制备氧化镓薄膜。本发明还提出所述氧化镓薄膜制备方法制备得到的薄膜。本发明的有益效果在于：通过掺杂铁元素，解决了使用激光分子束外延技术在低温下制备的β‑Ga₂O₃薄膜不易结晶的问题。通过铁元素掺杂，可以有效提高氧化镓薄膜的绝缘性，以用作氧化镓基场效应晶体管中的栅层结构，提高与沟道层结构的晶格匹配度，减少位错及界面效应，提高器件的性能。本薄膜制备技术，操作步骤简单、成本低廉，靶材可重复性利用率高，制备的薄膜表面均匀、成膜致密、结晶性好。