公开/公告号CN109671849B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201811548105.5
申请日2018-12-18
分类号H01L51/48(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/44(20060101);H01L51/42(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 11:46:42
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用
机译: 带有在透明基质上沉积的介孔碳电极的对电极的染料敏化太阳能电池及其制备方法