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具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器

摘要

一种具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器包括一衬底;一n型外延层;一n型限制层;一第一n型AlInN波导层;一第二n型AlInN波导层;一有源区;一AlInN波导层;一p型电子阻挡层;一p型AlInN波导层;一p型限制层,其制作在p型AlGaN波导层上,该p型限制层的中间为一凸起的脊形;一p型掺杂/p型重掺接触层;一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明采用AlInN材料代替AlGaN材料作为氮化镓基近紫外激光器的波导层,在同样的生长温度下,AlInN的晶体质量更好,缺陷密度更低,减少了由缺陷和杂质引起的光学吸收。AlInN更容易通过改变组分获得更大的折射率差,将光场更好地限制在有源区附近,增大了激光器的光学限制因子。

著录项

  • 公开/公告号CN111404024B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202010234429.2

  • 申请日2020-03-27

  • 分类号H01S5/20(20060101);H01S5/343(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴梦圆

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 11:46:09

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