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公开/公告号CN111404024B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202010234429.2
发明设计人 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;杨静;梁锋;
申请日2020-03-27
分类号H01S5/20(20060101);H01S5/343(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 11:46:09
机译: 用于制造发光二极管的高导电性无撕裂氮化镓基缓冲层的生产包括使用具有氮化硅层的III族氮化物缓冲层,以及掺杂施主
机译: 氮化物半导体发光元件和具有氮化镓基化合物的半导体激光器元件与氮化物半导体发光器件。
机译: 用于氮化镓基器件的多晶硅碳化硅衬底具有薄的蓝宝石层,该蓝宝石层设置在衬底的上表面上方,其中该层具有特定的厚度,并且上表面用于容纳器件的层
机译:氮化镓基发光二极管的光输出增强,具有在硅注入的氮化镓层上形成的嵌入式空隙
机译:具有网状铟锡氧化物接触层的近紫外氮化物基发光二极管的改进
机译:具有中间碳化硅纳米层的硅基板上的铝和镓氮化物,用于紫外线设备
机译:基于有机波导染料激光器的近紫外激光,含有随机散射活性培养基
机译:具有分裂和晶体学刻蚀面的氮化镓基激光器的制造和表征。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(UV)的倍频蓝绿激光器