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一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体及制备方法

摘要

一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体及制备方法,属于电子陶瓷技术领域。该铁氧体包括主成分和副成分,所述主成分以各自标准物计的含量为:Fe2O347~50mol%,NiO 18~22mol%,ZnO 18~22mol%,CuO 9~13mol%,Co2O30.1~0.4mol%,相对所述主成分总量,所述副成分以其标准物计的含量为:BZB:0.3~0.6wt%,Bi2O3:0.03~0.08wt%,CuO:0~0.03wt%。本发明得到的NiCuZn铁氧体在改善材料抗直流偏置特性的同时还保证其具有较高的烧结致密度和饱和磁感应强度。

著录项

  • 公开/公告号CN108706968B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201810578005.0

  • 申请日2018-06-05

  • 分类号H01F1/34(20060101);C04B35/34(20060101);C04B35/64(20060101);H01F1/03(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 11:43:17

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