首页> 中国专利> 一种用于超级电容器的晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法

一种用于超级电容器的晶态-非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于超级电容器的晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料的制备方法,涉及复合材料及制备技术,特别是超级电容器电极材料技术领域。该材料为晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料,是晶态的MoO3、非晶态的Ni3S2、泡沫镍的混合物,以泡沫镍为自支撑基底和镍源,再起表面原位生成晶态Ni3S2纳米薄片,再在晶态Ni3S2纳米薄片上进一步合成非晶态的MoO3,获得晶态‑非晶态MoO3@Ni3S2材料,晶态Ni3S2纳米薄片阵列排布于泡沫镍为自支撑基底表面,非晶态的MoO3,掺插于晶态Ni3S2纳米薄片之间。本发明材料一方面继承了晶态Ni3S2的高导电性,另一方面非晶态MoO3的无定型结构可能加速电荷的转移,从而促进电化学反应的进行,实现了高比电容。

著录项

  • 公开/公告号CN111540609B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010376302.4

  • 申请日2020-05-07

  • 分类号H01G11/24(20130101);H01G11/26(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/46(20130101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人陈一鑫

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 11:42:41

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