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一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法

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一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法，在过共晶铝硅合金熔体中添加Cr元素，添加量为熔体总重量的0.8%-1.5%，添加Cr元素的熔体温度为750℃-770℃，Cr元素以Cr剂或以Al-Cr中间合金形式添加到熔体中。本发明方法简单，操作方便，易于掌握，效果明显；与快凝技术相比较，合金化方法成本低；合金化方法易于工业化生产。

著录项

公开/公告号CN100445402C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-24

原文格式PDF
申请/专利权人东北大学;
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申请/专利号CN200710012486.0
发明设计人秦克;崔建忠;
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申请日2007-08-17
分类号C22C1/02(20060101);C22C1/03(20060101);C22C21/02(20060101);
代理机构21109 沈阳东大专利代理有限公司;
代理人梁焱
地址 110004 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
入库时间 2022-08-23 09:01:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-11-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22C 1/02 授权公告日:20081224 申请日:20070817

专利权的终止
2008-12-24

授权

授权
2008-03-12

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-01-23

公开

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