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一种锗基红外硫系玻璃的熔制工艺

摘要

本发明公开了一种锗砷硒玻璃的熔制工艺,以单质Se、As和化合物GeAs为原料,抽真空后进行密管合成,经熔封加热、融化、均化、退火步骤,得到锗基红外硫系玻璃。本发明使用化合物GeAs代替单质Ge,最高熔炼温度大幅降低,可有效减少因硫系玻璃熔体与容器反应形成的光学吸收杂质,提升硫系玻璃光学质量的同时,可有效降低制备能耗。

著录项

  • 公开/公告号CN108585483B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201810652493.5

  • 发明设计人 陶海征;阮博文;

    申请日2018-06-22

  • 分类号C03C3/32(20060101);C03B5/235(20060101);C03B25/00(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人张秋燕

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2022-08-23 11:42:19

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