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一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法

摘要

一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法,所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料,具有很高的晶体质量,所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级,面积达平方毫米级,所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料,可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体,具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN110408989B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN201910075768.8

  • 申请日2019-01-25

  • 分类号C30B28/02(20060101);C30B25/00(20060101);C30B29/22(20060101);C30B29/64(20060101);

  • 代理机构11535 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人聂稻波;谢怡婷

  • 地址 210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

  • 入库时间 2022-08-23 11:41:45

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