公开/公告号CN100430828C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 JSR株式会社;
申请/专利号CN02802574.1
申请日2002-07-25
分类号G03F7/004(20060101);G03F7/36(20060101);C08L101/00(20060101);H01L21/312(20060101);H01L23/12(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘元金;庞立志
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:01:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/004 授权公告日:20081105 终止日期:20140725 申请日:20020725
专利权的终止
2009-04-08
发明专利说明书更正 号:45 卷:24 页码:扉页 更正项目:国际申请号 误:PCT/JP2002/007511 正:PCT/JP2002/007561 申请日:20020725
发明专利说明书更正
2009-04-08
发明专利公报更正 号:45 卷:24 页码:930 更正项目:国际申请号 误:PCT/JP2002/007511 正:PCT/JP2002/007561 申请日:20020725
发明专利公报更正
2008-11-05
授权
授权
2005-04-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-02-16
公开
公开
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机译: 化合物,其制造方法,组成,光学部件形成用组合物,光刻用膜形成用组合物,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,放射线敏感性组合物,非晶膜的制造方法,光刻用下层,成膜材料,形成用组合物用于光刻的底层膜,用于光刻的底层膜的制造方法,抗蚀剂图案形成方法,电路图案形成方法和纯化方法
机译: 具有光化放射线或放射线敏感性树脂组合物的掩模坯料,光化放射线或放射线敏感性膜,光光化放射线或放射线敏感性膜,图案形成方法以及电子设备的制造方法设备
机译: 具有光化放射线或放射线敏感性树脂组合物的掩模坯料,光化放射线或放射线敏感性膜,光光化放射线或放射线敏感性膜,图案形成方法以及电子设备的制造方法设备