一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法

摘要

本发明供了一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法，涉及半导体光电子材料制备技术领域，能够实现对NiO薄膜晶体取向的控制，制备出单一晶体取向的NiO薄膜；该方法采用磁控溅射的方法制备NiO薄膜，其特征在于，在溅射过程中调节溅射气氛、溅射功率、气氛压强、气体流量、基底温度和/或退火温度来实现单一晶体取向的NiO薄膜的制备。本发明供的技术方案适用于单一晶体取向的NiO薄膜的制备过程中。