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公开/公告号CN109553415B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201910068506.9
发明设计人 姜桂铖;王金鑫;杨彬;郑立梅;刘丹青;黄伟城;曹文武;
申请日2019-01-24
分类号C04B35/491(20060101);C04B35/622(20060101);C04B41/88(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人高倩
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 11:40:03
机译: 半导体器件,包括具有非掺杂或高电阻率多晶硅部分的布线层
机译: 具有高b值8的晶粒取向硅staalbaand的制备方法
机译: 具有高B 8值的晶粒取向硅STAALBAAND的制备方法
机译:具有高取向(0001)取向的织构化多晶结构的高霍尔迁移率铝掺杂ZnO薄膜
机译:非水介质中化学喷雾热解(200)取向的高导电SnO2薄膜的性能:锑掺杂的影响
机译:溶胶-凝胶法制备非冷却红外探测器的高a轴取向Nb掺杂Pb(TixZr1-x)O-3薄膜
机译:具有非掺杂多晶硅隔离层LDD结构(SLDD)的高驱动性和高可靠性MOSFET
机译:铌掺杂锆钛酸铅钛酸盐薄膜,用于红外传感器
机译:具有良好取向(0001)取向的具有织构化多晶结构的高霍尔迁移率铝掺杂ZnO薄膜
机译:取向锆钛酸铅薄膜:薄膜结晶的表征