公开/公告号CN111188203B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 四川大学;
申请/专利号CN202010114290.8
申请日2020-02-25
分类号D06N3/00(20060101);D06N3/06(20060101);C08L27/06(20060101);C08L91/00(20060101);C08K13/02(20060101);C08K3/26(20060101);C08K5/12(20060101);C08K3/30(20060101);C08K5/11(20060101);C08K5/098(20060101);C08J9/10(20060101);C08J5/18(20060101);
代理机构
代理人
地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
入库时间 2022-08-23 11:39:50
机译: 基于卤化钌-钇RBY2CL7晶体的光学介质,其包含新颖的铋原子杂质离子,近红外范围内的宽带光致发光,及其制造方法
机译: 用于制造微结构的方法以及用于形成可用于制造基于表面微加工过程的微机电系统设备的光致图案化牺牲膜的组合物
机译: 一种具有这样的压电/发光箔的组合的压电-/光膜和致动构件的制造方法。