首页> 中国专利> 一种基于激光熔注技术制造锂离子电池硅负极的方法

一种基于激光熔注技术制造锂离子电池硅负极的方法

摘要

本发明公开了一种基于激光熔注技术制造锂离子电池硅负极的方法。该方法制造的锂离子电池硅电极可以有效的实现活性材料硅和镍基集流体实现冶金结合,减少硅颗粒在脱嵌锂过程中由于体积的变化与集流体脱落,以及发挥激光制造的优势实现常温下快速大面积地制备硅电极,远远优于传统CVD等方法需要的苛刻的高温环境、耗时、可能有有毒气体的产生等。同时,本发明制备的电极不使用粘结剂和导电剂。

著录项

  • 公开/公告号CN108511693B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201810172630.5

  • 发明设计人 黄婷;赵海波;肖荣诗;

    申请日2018-03-01

  • 分类号H01M4/1395(20100101);H01M4/134(20100101);H01M4/04(20060101);H01M10/0525(20100101);

  • 代理机构11597 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘锋

  • 地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 11:39:15

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号