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公开/公告号CN110556192B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 长安大学;
申请/专利号CN201810129786.5
发明设计人 张林;程鸿亮;胡笑钏;
申请日2018-02-08
分类号G21H1/06(20060101);H01L31/068(20120101);H01L31/18(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人徐文权
地址 710064 陕西省西安市南二环中段33号
入库时间 2022-08-23 11:38:56
机译: H-3碳化硅PN型同位素电池及其制备方法
机译: H-3碳化硅PN型放射性同位电池及其制造方法
机译: 将材料暴露于中子通量的方法,包括该暴露方法的有用同位素的生产方法以及使包含这种暴露方法的至少一种长寿命同位素发生trans变的方法
机译:S-35,Ar-42,Ca-45,Ni-63,KR-85,SR-89,CD-113M,Sn-121M,SN-123,PM-147,SM的(N,γ)反应产效果 -151,EU-152,EU-154,EU-155,TM-170,TM-171,W-185,W-188,OS-194,TL-204,PO-210,AC-227,CM-242 ,CM-244通过现象学和微观水平密度模型在核电池中使用CM-244放射性同位素
机译:Pm-147直充放射性同位素电池的效率。
机译:一种新的AAV衣壳,改善PNS型抗PNS型脑膜瘤治疗静脉疫苗病
机译:硅基上Ⅲ-Ⅴ型太阳能电池上优化的高Ge含量缓变SiGe上10〜5 cm〜(-2)的穿线位错密度
机译:4H碳化硅外延膜中的薄多型夹杂物以及碳化硅的碳氢振动中心的同位素和非谐效应。
机译:部分删除了第二个高变区后一种低聚人免疫缺陷病毒1型(HIV-1)包膜抗原对初次HIV-1分离株引起中和抗体的能力得到了改善。
机译:用VHF-PECVD制备p型氢化纳米晶碳化硅/ n型晶硅异质结太阳能电池。
机译:碳化硅放射性同位素电池