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实现调制效率提高的Z切LNOI电光调制器及其应用

摘要

一种实现调制效率提高的Z切LNOI电光调制器及其应用,该Z切LNOI电光调制器包括衬底,其底部设有槽;绝缘层,其设置在衬底上;波导芯层,设置在绝缘层上,切向为Z切;上包层,设置在波导芯层上,用于和波导芯层形成折射率差从而限制光场的传输,同时作为上层电极的支撑结构;信号电极,设置在包层对应光学波导位置上,用于施加电信号形成电场对波导芯层中的光进行电光调制;以及地电极,其设置在槽内,与信号电极之间的电场沿着Z切LN的光轴方向。本发明实现了电场对光场的接近100%的超高效电光调制,进而极大降低调制器的半波电压,减小调制器功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN111487793B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202010309287.1

  • 申请日2020-04-17

  • 分类号G02F1/03(20060101);G02F1/035(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴梦圆

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:50

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