一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法

摘要

本发明公开了一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法，其结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N⁺型InP层，组分渐变的N⁺型In_xAl_1‑xAs缓冲层，In_xGa_1‑xAs吸收层，P⁺型In_xAl_1‑xAs帽层，氮化硅SiN_x钝化膜，P电极，加厚电极。钝化膜为感应耦合等离子体化学气相沉积技术生长低应力氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：采用低应力的氮化硅薄膜钝化，控制大面阵探测器芯片的翘曲度<10μm，有利于实现低盲元率的焦平面器件；低应力氮化硅钝化膜的可靠性高；低应力氮化硅钝化膜的表面侧面钝化效果好。