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公开/公告号CN108052745B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院合肥物质科学研究院;
申请/专利号CN201711352182.9
发明设计人 李祥艳;许依春;张艳革;孙静静;郝丛宇;尤玉伟;孔祥山;刘伟;吴学邦;刘长松;方前锋;
申请日2017-12-15
分类号G06F30/20(20200101);
代理机构34146 合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈少丽
地址 230000 安徽省合肥市科学岛
入库时间 2022-08-23 11:38:16
机译: 晶界控制耐辐照SUS316等效钢及其制造方法
机译: 模拟缺陷晶圆及缺陷检查配方的创建方法
机译: 模拟的缺陷晶圆和缺陷检测配方的绘制方法
机译:掺杂晶界的纳米氧化锆中的辐照诱导晶粒生长和缺陷演化
机译:分子动力学模拟对晶界对钨辐照缺陷的影响
机译:石墨烯中晶界和晶界的演化:动力学蒙特卡洛模拟
机译:模拟辐照和辐照后退火对奥氏体Fe-Cr-Ni合金晶界组成的影响
机译:含氧固体电解质中晶界附近缺陷偏析的统一Poisson-Cahn方法
机译:α-Zr中不同原子晶界附近的辐照变形:点缺陷的热力学和动力学研究
机译:模拟辐照和辐照后退火对奥氏体Fe-Cr-Ni合金晶界组成的影响。