一种检测大马士革结构导电性的方法

摘要

本发明公开一种检测大马士革结构导电性的方法，包括：提供具有器件区域和外围区域的半导体结构，包括衬底，于衬底上依次形成导电层、介电层；步骤S1、于半导体结构的器件区域开设第一深孔，同时于半导体结构的外围区域开设第二深孔，第一深孔与第二深孔均穿过介电层以暴露导电层；步骤S2、于第一深孔的顶部开设第一沟槽，以形成大马士革结构；同时，于半导体结构的外围区域开设独立于第二深孔的第二沟槽；步骤S3、于大马士革结构、第二深孔及第二沟槽内填充金属，并进行平坦化处理；步骤S4、以电子束扫描大马士革结构、第二深孔及第二沟槽，以判断大马士革结构的电性连接情况。有益效果在于：能够准确地判断出大马士革结构的结构缺陷的原因。