用于高纵横比氧化物蚀刻的氟碳分子

摘要

公开了用于在基质上的含Si层中等离子体蚀刻通道孔、栅槽、阶梯触点、电容器孔、接触孔等的蚀刻气体，和使用它的等离子体蚀刻方法。蚀刻气体为反‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯；顺‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯；六氟异丁烯；六氟环丁烷(反‑1,1,2,2,3,4)；五氟环丁烷(1,1,2,2,3‑)；四氟环丁烷(1,1,2,2‑)；或六氟环丁烷(顺‑1,1,2,2,3,4)。蚀刻气体可提供在含Si层与掩模材料之间改进的选择性，较少的对通道区域的损害、直垂直剖面和图案高纵横比结构中减少的卷曲。