公开/公告号CN110108328B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 同济大学;
申请/专利号CN201910266354.3
申请日2019-04-03
分类号G01F1/34(20060101);G01M3/28(20060101);F17D5/02(20060101);G06F30/18(20200101);G06F30/27(20200101);G06F30/28(20200101);G06N3/12(20060101);G06F111/02(20200101);G06F111/04(20200101);G06F113/04(20200101);G06F113/08(20200101);G06F119/14(20200101);
代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人叶敏华
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号
入库时间 2022-08-23 11:36:57
机译: 漏损状况监视系统及漏损测定方法
机译: 具有金属-半导体材料复合区域的半导体器件的制造方法,该方法能够减小源极和漏极区域的结深度,并提高晶体管的源极和漏极区域的接触电阻
机译: 具有轻掺杂的漏极区域,重掺杂的源极和漏极区域以及超重掺杂的源极区域的不对称晶体管的制造方法