一种横向功率器件的高压互连结构

摘要

本发明提供了一种横向功率器件的高压互连结构，它在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘体区域，利用该区域来调制高压互连线引起的表面电场分布，大大增强了器件在具有高压互连线时的耐压能力，提高了器件的性能。本发明可用于横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，工艺简单，成本低廉。