一种NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法

摘要

本发明提供一种全隔离型的NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法，该方法包括在位于N型埋层之上的外延层的表面进行介质层沉积，对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，以及对外延层进行光刻和第一次离子注入，分别采用PGRD光罩和NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入分别形成P型漏极漂移区和N型漏极漂移区，同时对位于N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，以形成与N型埋层之间的P型隔离结构，然后在P型漏极漂移区内形成P型阱区，在N型漏极漂移区内形成N型阱区，在场效应氧化层之上形成栅极结构。本发明简化了具有表面场效应氧化层结构的半导体器件的制造工艺流程。