NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法

摘要

本发明提供一种全隔离型的NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法，该方法包括对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，形成P型阱区和N型阱区，形成N型漏极漂移区和P型漏极漂移区，形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构，形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构，位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度大于位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度，在场效应氧化层之上形成栅极结构。本发明简化了具有表面场效应氧化层结构的半导体器件的制造工艺流程。