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Ti-Ta合金溅射靶及其制造方法

摘要

一种Ti‑Ta合金溅射靶,其含有0.1原子%~30原子%的Ta,剩余部分包含Ti和不可避免的杂质,其特征在于,所述溅射靶的氧含量为400重量ppm以下。本发明具有如下优良的效果:由于氧含量低且硬度低,因此容易进行加工并且具有良好的表面性状,因此,在溅射时能够抑制粉粒的产生。

著录项

  • 公开/公告号CN108291295B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 捷客斯金属株式会社;

    申请/专利号CN201780003924.9

  • 发明设计人 小田国博;宫田千荣;

    申请日2017-03-23

  • 分类号C23C14/34(20060101);C22C14/00(20060101);C22C27/02(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人胡嵩麟;王海川

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:37

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