力-热作用下表征TATB基PBX内应力的方法

摘要

本发明公开了力‑热作用下表征TATB基PBX内应力的方法，包括如下步骤：对PBX进行原位机械应力/热应力加载，利用中子衍射技术获得TATB晶体的晶格点阵参数，获取机械应力、温度与TATB晶格点阵参数的关系；同时，利用内部微结构表征技术获得PBX的细观结构；通过机械应力、温度与TATB晶格点阵参数的关系以及细观结构获得PBX的性能拐点，最终获得热‑力耦合作用下的PBX内部TATB晶体响应行为规律。本发明首次将中子衍射技术引入含能材料研究领域，非侵入式无损观察机械应力/热应力下PBX中TATB晶体衍射峰的位移、宽化、不对称性等点阵参数，为含能材料的宏观性能评估提供基础的参数。