一种CsPbBr₃/CsPb₂Br₅复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种CsPbBr₃/CsPb₂Br₅复合薄膜及其制备方法，其包括：(1)将CsPbBr₃粉末置于坩埚中，通过真空蒸发镀膜工艺在基片制得薄膜样品；(2)将载有所述薄膜样品的基片取出并将其与滴加有DMSO液体的空白基片一同放入蒸发皿中，将蒸发皿密封后加热至100‑150℃，保温15‑20min后，解除密封，自然冷却至室温，制得CsPbBr₃/CsPb₂Br₅复合薄膜。本发明采用CsPbBr₃粉末，一种原料一步蒸发制得CsPbBr₃和CsPb₂Br₅复合物薄膜，使制备工艺大大简化；并且在退火过程中，采用DMSO或DMF蒸汽辅助，150oC以下便可极大提高薄膜的结晶特性和光电响应特性，无需高温。