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一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法

摘要

一种改善离子迁移谱中BN门歧视效应的离子门控制方法,包括:在第一预设时间间隔内,在第一组电极上施加第一电压,在第二组电极上施加第二电压;其中第二电压高于第一电压且两者的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差;在第二预设时间间隔内,在第一组电极与第二组电极上施加相同大小的电压,使离子能正常通过离子门;在第三预设时间间隔内,在第一组电极上施加第三电压,在第二组电极上施加第四电压;其中第三电压高于第一电压,第四电压高于第三电压且两者的电压差为刚好使离子全部不能通过的临界关门电压差。通过控制BN门的两组电极的电压在三态下随时间做周期性变化,实现了减轻离子门歧视性的同时提高了离子迁移谱仪的分辨率。

著录项

  • 公开/公告号CN110310882B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学深圳研究生院;

    申请/专利号CN201910595864.5

  • 申请日2019-07-03

  • 分类号H01J49/06(20060101);H01J49/02(20060101);G01N27/622(20210101);

  • 代理机构44223 深圳新创友知识产权代理有限公司;

  • 代理人王震宇

  • 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城清华校区

  • 入库时间 2022-08-23 11:34:52

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