公开/公告号CN109154911B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 超威半导体公司;
申请/专利号CN201680086083.8
发明设计人 史利南·斯里尼瓦桑;威廉·L·沃克;
申请日2016-09-20
分类号G06F12/0811(20160101);G06F12/084(20160101);G06F12/0846(20160101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人樊英如;邱晓敏
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:34:13
机译: 影子标签存储器,用于监视不同高速缓存级别的高速缓存行的状态
机译: 影子标签存储器,用于监视不同高速缓存级别的高速缓存行的状态
机译: 在某些条件下掩盖由高速缓存脏存储器提供的脏状态指示的电路,以便高速缓存存储器控制器适当地控制高速缓存标签存储器