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具有位于滤波器电路电感器之下的无导体区域的RF放大器及其制作方法

摘要

一个放大器包括一个半导体衬底。一个第一导电特征仅仅部分地覆盖底衬底表面以定义一个所述底衬底表面的一个无导体区域。晶体管的一个第一电流传导终端电耦合于所述第一导电特征。第二和第三导电特征或可耦合于底衬底表面的其它区域。一个第一滤波器电路包括一个形成于与所述无导体区域相对的所述顶衬底表面的一个部分上的第一电感器。所述第一滤波器电路或可电耦合于所述晶体管的一个第二传导终端和所述第二导电特征之间。一个第二滤波器电路或可电耦合于所述晶体管的一个控制终端和所述第三导电特征之间。导电引线或可耦合于所述第二和第三导电特征,或所述第二和第三导电特征或可耦合于一个印刷电路板。

著录项

  • 公开/公告号CN106026935B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 恩智浦美国有限公司;

    申请/专利号CN201610098671.5

  • 申请日2016-02-23

  • 分类号H03F1/07(20060101);H03F1/56(20060101);H03F3/19(20060101);H03F3/24(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人纪雯

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 11:34:08

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