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半导体物理量传感器装置

摘要

本发明提供一种半导体物理量传感器装置,其能够维持正常工作时的电流能力,且能够抑制端子间短路时流动的电流。将以互补的方式连接第一、二输出元件(1、2)而成的输出电路(5)的连接点(6)与输出端子(103)连接。在第一输出元件(1)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第一开关元件(3)。在第二输出元件(2)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第二开关元件(4)。在输出端子(103)的电压Vout为比下限的钳位电压(电压Vref1)低的电压Vref0时,第一开关元件(3)截止。在输出端子(103)的电压Vout为比上限的钳位电压(电压Vref2)高的电压Vref3时,第二开关元件(4)截止。

著录项

  • 公开/公告号CN107526387B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士电机株式会社;

    申请/专利号CN201710361536.X

  • 发明设计人 松并和宏;西川睦雄;

    申请日2017-05-22

  • 分类号G05F1/618(20060101);

  • 代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人金玉兰;周爽

  • 地址 日本神奈川县川崎市

  • 入库时间 2022-08-23 11:34:02

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