宽光谱范围的半导体工艺兼容高光谱成像芯片设计方法

摘要

本发明涉及一种易加工的宽光谱范围的半导体工艺兼容高光谱成像芯片设计方法，涉及半导体技术领域。本发明提供一种宽光谱范围、高光谱分辨率，高信噪比的FPI的腔镜设计，实现了一种宽光谱范围，高光谱分辨率，高信噪比的工艺兼容高光谱成像集成芯片。其中在设计半导体工艺的高光谱成像芯片时，考虑到高光谱需要涵盖更多的谱段数，通过对成像芯片结构的布拉格膜系的中心波长设计，并对布拉格镜膜系中心波长进行了优化设计，展宽了高光谱成像芯片的可用光谱范围，保证了FP腔长改变或调谐波长的过程中，滤波带宽的最优化，避免可用光谱范围变窄，边缘谱段的分辨率变差，信噪比变差，导致识别目标的特征谱段无法被区分等问题。