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公开/公告号CN107229182B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 HOYA株式会社;
申请/专利号CN201710177126.X
发明设计人 中山宪治;
申请日2017-03-23
分类号G03F1/36(20120101);G03F1/70(20120101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人李辉;黄纶伟
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 11:31:31
机译: 光掩模图案接近效果修正方法及装置
机译: 光掩模的图案修饰方法,光掩模的制造方法以及修饰的膜形成装置
机译: 光掩模的图案修改方法,光掩模的制造方法和改进的膜形成装置
机译:扫描型开发技术,可提高半导体光掩模的精度:支持先进半导体器件制造的光掩模图案的精度更高
机译:扫描型开发技术提高了半导体的光掩模精度:高精度的光掩模图案,支撑尖端半导体器件的制造
机译:使用现有光掩模制造能力制造用于EUV光刻的自对准交替相移光掩模的简单方法
机译:等效灰色掩模的颜色修正方法研究
机译:寒区流域泥沙模拟中水土评估工具性能的修正方法
机译:制造用于生物学分析的无掩模微流体装置的简单方法
机译:光掩模制造过程中由于电子束图案化引起的局部抗蚀加热
机译:制造方法和技术措施。超精密集成电路光掩模。