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一种抑制ZCuSn10P1合金锡元素偏析的连续制备半固态浆料的装置和方法

摘要

本发明涉及一种抑制ZCuSn10P1合金锡元素偏析的连续制备半固态浆料的装置和方法,属于材料科学技术领域。该抑制ZCuSn10P1合金锡元素偏析的连续制备半固态浆料的装置,包括控制冷却装置、类等温装置和浇注转盘装置。本发明在凝固过程中对合金浆料进行抑制偏析处理,通过倾斜板熔体冷却通道对熔体进行阶段控制冷却,然后对浆料进行类等温处理,以促进锡元素固溶在初生固相内,减少液相内锡元素的浓度,最终获得晶间偏析少的均匀半固态熔体组织。

著录项

  • 公开/公告号CN110000344B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN201910192686.1

  • 申请日2019-03-14

  • 分类号B22D1/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号

  • 入库时间 2022-08-23 11:31:05

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