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发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置

摘要

一种实施例的发光元件可以包括:发光结构,包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层;以及第一电极和第二电极,被分别置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上,其中,发光结构包括第一台面区域,第一导电型半导体层包括第二台面区域,以及第一电极包括:第一区域,其是第二台面区域上表面的部分区域;第二区域,其是第二台面区域的侧表面;以及第三区域,布置成从第二台面区域侧表面的边缘开始延伸,其中,第一、第二和第三区域被形成为使得第一区域的厚度(d1)、第二区域的厚度(d2)和第三区域的厚度(d3)的比例为d1:d2:d3=1:0.9至1.1:1。

著录项

  • 公开/公告号CN107210340B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG伊诺特有限公司;

    申请/专利号CN201580074190.4

  • 发明设计人 孙秀亨;李建和;崔炳均;崔光基;

    申请日2015-12-30

  • 分类号H01L33/38(20100101);H01L21/285(20060101);H01L21/687(20060101);

  • 代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人张浴月;李玉锁

  • 地址 韩国首尔市

  • 入库时间 2022-08-23 11:30:29

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