公开/公告号CN112098734B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国原子能科学研究院;
申请/专利号CN202011297102.6
申请日2020-11-19
分类号G01R29/08(20060101);G01R29/14(20060101);H05H7/04(20060101);H05H13/00(20060101);
代理机构11508 北京维正专利代理有限公司;
代理人卓凡
地址 102413 北京市房山区新镇三强路1号
入库时间 2022-08-23 11:29:55
机译: 光致抗蚀剂组合物,包括基于该组合物的层的涂覆基质以及使用能够有效地形成基于负色调方法的照相光刻技术的图像形成照相光刻图案的方法
机译: 聚合物化合物,化学增强的负阻组成以及可形成一种或多种重复单元的图案形成方法,该重复单元可选自基于N,N'-双(烷基羟甲基)四氢吡啶基甲基酮基酮的重复单元中的重复单元骨架
机译: 基于双负超材料的大功率电磁辐射产生方法