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用于抑制对闪存存储器系统中的未被选择的位线进行编程的方法和设备

摘要

本发明公开了用于抑制对耦接至未被选择的位线的存储器单元的编程同时对耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元进行编程的各种实施方案。还公开了用于在耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元的编程期间补偿泄漏电流的各种实施方案。

著录项

  • 公开/公告号CN107430891B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅存储技术公司;

    申请/专利号CN201680019866.4

  • 发明设计人 H.V.陈;A.李;T.于;H.Q.阮;

    申请日2016-02-23

  • 分类号G11C16/04(20060101);G11C16/10(20060101);G11C16/34(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人胡莉莉;郑冀之

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:29:37

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