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公开/公告号CN109560193B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN201811271339.X
发明设计人 闵泰;周学松;周雪;王蕾;
申请日2018-10-29
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/06(20060101);H01L43/10(20060101);G11C11/16(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人姚咏华
地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
入库时间 2022-08-23 11:29:29
机译: 基于合成反铁磁性自由层和导数SOT-MRAM的磁性结构
机译: 磁场检测器具有磁阻传感器阵列,该阵列具有人工反铁磁参考层和磁性层,这些磁性层设置为抑制磁畴形成并增加对外部磁场的抵抗力
机译:基于双重MgO自由层和基于[Co / Ni]的薄合成反铁磁体固定系统的磁性隧道结的退火稳定性
机译:带有交换偏置合成反铁磁固定层的基于MgO的磁性隧道结的磁循环下的磁稳定性
机译:温度诱导的反铁磁性层间交换耦合(Ga,Mn)(AS,P)基于三层结构
机译:用合成反铁磁性自由层的顶固定MTJ零偏移场操作的演示
机译:纳米结构中的量子磁性:二维近藤晶格中的磁性隧道结和反铁磁性。
机译:反铁磁性IrMn层的厚度对弱耦合CoFeB / IrMn / CoFeB三层的静态和动态磁化强度的影响
机译:温度控制的组装/重新组装两种基于二羧酸酯的三维CO(II)配位聚合物,具有反铁磁性金属层和铁磁性金属链
机译:最终报告:FG02-01ER-45906 - 一种基于磁性形状记忆合金的新型人工调制磁性多层膜