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亚波长介质柱阵列结构的超材料双功能太赫兹波片

摘要

本发明公开了一种亚波长介质柱阵列结构的超材料双功能太赫兹波片,由纯硅介质基底与介质柱阵列构成,在直径1~12英寸、厚度100~2000μm的高阻硅片上按照超材料结构布图设计、采用光刻技术一次成型制作的介质柱阵列位于长方体纯硅介质基底正上方,沿水平轴向X与垂直轴向Y双方向,介质柱阵列由介质柱阵列最小结构周期单元周期性排布构成,介质柱阵列最小结构周期单元包括两个介质柱,上述二个介质柱中心距离同水平轴向X周期相等。本发明亚波长介质柱阵列结构的超材料双功能太赫兹波片具有设计合理、结构简单、在0.1~10THz频率范围内各单一工作频率下均可同时实现1/4和1/2波片功能、便于应用的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN110456426B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201910702102.0

  • 发明设计人 栗岩锋;訾剑臣;胡明列;

    申请日2019-07-31

  • 分类号G02B1/00(20060101);G02B5/30(20060101);

  • 代理机构12107 天津市三利专利商标代理有限公司;

  • 代理人苏宇欢

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2022-08-23 11:29:16

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