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一种无公害、高产优质的霍山米斛种植方法

摘要

本发明公开一种无公害、高产优质的霍山米斛种植方法,包括如下步骤:科学选址、整地、根据太阳高度角的变化设计遮阳网大棚、水利基础设施建设、基质制备与苗床建设:种苗处理,移栽、管理,包括施肥、病害防治、虫害管理、水分管理、越冬管理与采收,整个种植体系不仅可以提高霍山当地种植霍山米斛的产量与品质,也有利于异地引种、实现异地引种出具有道地药材品质特征的霍山米斛。降低种植成本,保护生态环境,解决部分劳动力剩余问题、增加群众收入、推动地方经济发展。

著录项

  • 公开/公告号CN110199739B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 闫飞翔;

    申请/专利号CN201910278668.5

  • 发明设计人 闫飞翔;

    申请日2019-04-09

  • 分类号A01G13/00(20060101);A01G22/63(20180101);A01G24/22(20180101);

  • 代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;

  • 代理人屠佳婕

  • 地址 236800 安徽省亳州市谯城区谯东镇闫闫窑行政村闫窑

  • 入库时间 2022-08-23 11:29:15

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