线性压控电流源拓扑结构及太阳阵模拟器

摘要

本发明公开一种应用于太阳阵模拟器的线性压控电流源拓扑结构及太阳阵模拟器，线性压控电流源拓扑结构包括：三端口线性功率复合晶体管，三端口线性功率复合晶体管由多个N沟道常开型JFET与N沟道常闭型MOSFET级联构成。本发明采用多个N沟道常开型JFET与N沟道常闭型MOSFET级联来替代单管功率MOSFET，且每一个JFET功率管的热耗功率通过选用合适的漏源极电压的钳位稳压管来限定，故单路电流源的热耗功率与级联JFET的个数成线性正比例关系，而相同额定耗散功率条件下的电流源并联路数与级联JFET的个数成线性反比例关系，极大减小电流源的并联支路数，可较大程度的优化太阳阵模拟器的体积和简化电路结构。