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公开/公告号CN108987464B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN201810668024.2
发明设计人 吕建国;陆波静;
申请日2018-06-26
分类号H01L29/24(20060101);H01L29/786(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人梁群兰
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2022-08-23 11:28:43
机译: 使用两种具有不同晶化速度的金属通过金属诱导的横向晶化来形成非晶半导体薄膜的晶化方法,以及使用相同的方法制造薄膜晶体管的方法
机译: 从具有一种或多种vib族金属和一种或多种vii族金属的催化剂中回收一种或多种vib族金属的方法;固体金属化合物制造新鲜催化剂的方法
机译: 从具有一种或多种VIB族金属和一种或多种VIII族金属的催化剂中回收一种或多种VIB族金属的方法;固体金属化合物;生产新鲜催化剂的过程
机译:霍尔效应分析非晶金属氧化物半导体薄膜晶体管中的载流子迁移率
机译:非晶Ga_3Se_4薄膜的原位生长和从头算光学特性:新型硫族化物化合物半导体薄膜
机译:过渡金属掺杂的非晶氧化物半导体薄膜磷光体,铬掺杂的非晶氧化镓
机译:厚度和掺杂对IIIA-VIA族非晶半导体薄膜非线性吸收行为的影响
机译:非传统非晶氧化物半导体薄膜晶体管的制造。
机译:纳米粒子和铜电极中诱导金属增强非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的迁移率
机译:光电导激激光谱作为增强非晶氧化物半导体薄膜晶体管中缺陷光谱签名的方法
机译:涉及IV,V和VI族元素的非晶化合物半导体的光电导性。